可控硅的陽極工作電壓與陽極電流的關系，稱為可控硅的伏安特性。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅的陽極與陰極間加上一個正向影響電壓時，在可控硅進行控制極開路(Ig=0)情況下，開始執行元件設計中有一些很小的電流(稱為中國正向漏電流)流過，可控硅陽極與陰極間表現出具有很大的電阻，處于發展截止目前狀態(稱為企業正向阻斷這種狀態)，簡稱斷態。

當陽極電壓上升到一定值時，晶閘管突然從阻斷狀態變為通斷狀態，即通斷狀態。陽極這一點的電壓稱為關態不可重復峰值電壓(udsm) ，或稱為正向轉換電壓(ubo)。

導通后，大電流流過元件，其值主要由限流電阻（>使用中的負載）決定。 當陽極供電電壓減小或負載電阻增大時，陽極電流減小，并且當陽極電流小于維持電流IH時，晶閘管從導通狀態變為截止狀態。 從圖中可以看出，當正向電流Ig流過晶閘管控制電極時，晶閘管的正向轉向電壓降低，Ig越大，轉向電壓越小，當Ig足夠大時，晶閘管的正向轉向電壓就越小。 一旦施加正陽極電壓，晶閘管就導通。 實際上，當在晶閘管元件陽極和陰極之間施加6V DC電壓時，元件被啟用

控制極上的下限電流(電壓)稱為觸發電流(電壓)。

當晶閘管的陽極和陰極之間施加反向電壓時，晶閘管起初處于反向阻斷狀態，只有很小的反向漏電流流過。當反向電壓增加到一定值時，反向漏電流急劇增加。此時對應的電壓稱為反向非重復峰值電壓(URSM)，或反向擊穿電壓(UBR)。可以看出，可控硅的反向伏安特性與二極管相似。