1. 判別各電極

溫控可控硅的內部結構與普通可控硅相似，所以溫控可控硅的電極也可以通過區分普通可控硅電極的方法找到。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。

　　2. 性能檢測

　　溫控可控硅的好壞也可以用數字萬用表進行大致測出來，具體分析方法可參考其他普通可控硅的檢測技術方法。

在該電路中，R是用于設定晶閘管VT的開關溫度的分流電阻器。電阻越小，設定的開關溫度越高。 C為抗干擾電容器，可防止晶閘管VT誤觸發。 HL為6.3 V指示燈（小珠），S為電源開關。

談溫控電路可控硅的檢測技術方法

　　圖1 溫控可控硅的檢測電路圖

電源開關S接通后，VT不亮，指示燈HL不亮。“熱空氣齒輪”用于用吹風機加熱可控硅VT。當溫度達到設定溫度值時，指示燈亮起，指示可控硅VT已開啟。如果使用空氣干燥器“冷空氣”冷卻可控硅VT（或使其自然冷卻）到一定的溫度值，指示燈可能會熄滅，CR性能良好。如果電源開關打開，指示燈亮，或在硅膠加熱后，指示燈不亮，或在硅膠冷卻后，指示燈不關閉，測量到的硅膠擊穿損壞或性能不佳。