硅通器，硅鐵整流元件的簡稱，是一種高功率半導體器件，具有三個PN結的四層結構，也稱為硅鐵。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。由于具有尺寸小、結構相對簡單、功能強等特點，是最常用的半導體器件之一，其次由可控硅廠家小邊介紹了雙向可控硅的使用十大規則。

1.為了導通晶閘管(或雙向晶閘管) ，必須有門極電流 igt，直到負載電流達到鹽值，這個條件必須滿足，并根據可能的低溫來考慮。

2.要斷開（開關）開關管（或雙向可控硅），負載電流必須為

3、設計進行雙向控制可控硅觸發系統電路時，只要有可能，就要我們避開3 象限（WT2-，+）。

4.為了減少雜波吸收，柵極連接長度減少至低，回線直接連接MT1（或陰極），如果硬絲、螺絲或屏蔽線、柵和MT1電阻1kΩ或以下，高頻旁通和柵電容交叉連接電阻；另一種，選擇H系列低靈敏度雙向。

如果DVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，則在MT1和MT2之間添加RC緩沖電路，如果高DICOM/dt可能引起問題，則與負載串聯地添加幾個mH電感；使用另一種解決方案Hi-Com triac。

圖6。如果在嚴重和異常的電源瞬態下，雙向可控硅的 vdrm 可能超過，應采取以下措施之一: 在負載上串聯幾個 μh 的不飽和電感來限制 dit/dt; 在電源側增加一個濾波電路。

7.選擇一個好的門觸發電路并避免三象限工作條件可以大大提高雙向晶閘管的dITu002Fdt容差。

8、若雙向控制可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，負載上盡量進行串聯作為一個幾μH 的無鐵芯電感或負溫度效應系數的熱敏材料電阻；另一種方式解決管理辦法：對電阻性負載可以采用零電壓導通。

9.當裝置固定在散熱器上時，避免應力和固定，然后焊接引線。不要將鉚釘芯軸放在設備接口件的一側。

10。 對于長期可靠的運行，應確保Rth j-a足夠低以保持Tj不高于Tjmax，該值對應于可能的高環境溫度。