何謂可控硅觸發(fā)？

一、晶閘管是電流控制的雙極半導(dǎo)體器件，其中類似于電流源的柵極驅(qū)動(dòng)單元可以向晶閘管的柵極提供特別陡的尖峰電流脈沖，以便確保在任何時(shí)間可靠地觸發(fā)該晶閘管。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。 晶閘管的柵極觸發(fā)特性對(duì)晶閘管的額定值和特性參數(shù)影響很大。 可以縮短器件的導(dǎo)通時(shí)間，降低導(dǎo)通損耗，提高器件的抗di/dt能力。 觸發(fā)脈沖幅度對(duì)晶閘管導(dǎo)通的影響晶閘管柵極觸發(fā)電流幅度對(duì)器件導(dǎo)通速度的影響非常明顯，高柵極觸發(fā)電流可明顯縮短器件的導(dǎo)通時(shí)間。 當(dāng)觸發(fā)脈沖幅度僅為器件IGT時(shí)，器件可以開(kāi)啟，但開(kāi)啟器件的時(shí)間延遲明顯，可達(dá)數(shù)十次，不利于整個(gè)設(shè)備的可靠控制和安全運(yùn)行。 

二、觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡脈沖)對(duì)晶閘管開(kāi)啟的影響觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡脈沖)對(duì)晶閘管開(kāi)啟速度也有明顯影響，觸發(fā)脈沖上升時(shí)間越長(zhǎng)，其效果是降低柵極觸發(fā)電流。 觸發(fā)脈沖越陡，上升時(shí)間越短，晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間越短。 

三、晶閘管可靠觸發(fā)對(duì)柵極觸發(fā)源的要求1、一般要求：觸發(fā)脈沖電流幅值：IG=10IGT；脈沖上升時(shí)間：TR ≤ 1 μ s； 高di/dt操作：當(dāng)器件在高di/dt下操作時(shí)，特別是當(dāng)晶閘管阻斷電壓高時(shí)，在接通過(guò)程中由柵極到陰極橫向電阻產(chǎn)生的電壓可能超過(guò)柵極電壓，在嚴(yán)重情況下，甚至可能使柵極電流反向。 該負(fù)柵極電流導(dǎo)致導(dǎo)通損耗的增加，并且可能導(dǎo)致器件的高di/dt損壞。 因此，我們要求柵極觸發(fā)電源電壓VG不小于20V，或者二極管串聯(lián)在柵極線上，以防止柵極電流在高di/dt下工作時(shí)回流。 用于晶閘管串聯(lián)和并聯(lián)的晶閘管串聯(lián)：在串聯(lián)晶閘管的應(yīng)用中，要求每個(gè)串聯(lián)的晶閘管盡可能均勻地導(dǎo)通。 晶閘管并聯(lián)：銳利、強(qiáng)的柵極觸發(fā)脈沖可使并聯(lián)晶閘管的開(kāi)路特性的不平衡非常小，具有較好的均流效果。