眾所周知，晶閘管的應用和優點使其在電力工業中發揮著越來越重要的作用。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。設備的壽命是有限的。因此，為了延長晶閘管的使用壽命，必須注意正確的使用標準，以下是晶閘管使用的10大原則。

       準則1

為了打開晶閘管(或三端雙向可控硅開關)，必須有一個柵極電流≧IGT，直到負載電流達到≧IL。必須滿足這一條件，并根據可能遇到的較低溫度進行考慮。

　　準則2

　　要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負載工作電流我們必須間，使能回復至截止狀態。在可能的運行環境溫度下必須能夠滿足企業上述研究條件。

　　準則3

在設計雙向硅膠觸發電路時，應盡可能避免使用3+象限（WT2-，+）。

       準則4

為了減少雜波吸收，柵極線長度減小到較低。 返回線直接連接到MT1(或陰極)。 如果使用硬線，則使用螺旋雙線或屏蔽線。 柵極與MT1之間的電阻1k Ω 或更小。 高頻旁路電容器及柵極間串聯電阻。 另一個解決方案是使用H系列低靈敏度triac。

　　規則5

如果 dvd/dt 或 dvcom/dt 可能導致問題，則在 mt1和 mt2之間添加 rc 緩沖區。如果高的 dicom/dt 可能會引起問題，增加幾米電感和負載串聯。另一個解決方案，使用高通雙向可控硅。

　　準則6

如果三端雙向可控硅開關的VDRM在嚴重和異常的電源瞬變過程中可能被超過，應采取以下措施之一:在負載上串聯一個電感為幾μH的不飽和電感以限制它 u002FDT用MOV跨接電源，并在電源側增加濾波電路。

　　準則7

　　選用好的門極觸發控制電路，避開3+象限工況，可以最大限度從而提高學生雙向可控硅的dIT/dt承受工作能力。

　　準則8

如果可能超過雙向CR的dIT/dt，負載連接幾個H無芯電感或負溫度系數。另一種解決方案是在電阻性負載上使用零電壓傳導。

　　準則9

當設備固定到散熱器時，避免對三端雙向可控硅開關施加應力。 固定導線，然后焊接。 不要將鉚釘心軸放置在設備接口件的側面。

　　準則10

為了長期可靠的運行，rthj-a 應該保持足夠的低，以維持 tj 不高于 tjmax，相應的可能的環境溫度。

這些是可控硅的使用指南。正確使用不僅可以延長可控硅的使用壽命，還可以保證可控硅的穩定運行。